网络动态 2023-01-02 11:18:51 0

行业信息显示，三星年底将推出200层+NAND闪存，数据传输速度将提高30%

世界的半导体制造厂，为了最早量产200层以上的南德闪存，展开着激烈的技术竞争。三星电子计划在2022年底或2023年上半年推出200多层NAND闪存，并于明年上半年开始量产。据商业韩国称，三星电子当初计划在2021年底开始量产176层NAND，但考虑到市场状况，推迟到2022年的第一季度。不过，美国美孚已经开始批量生产176层NAND，业内人士预测，三星电子将通过加快200层以上NAND闪存的批量生产，找回被美孚夺走的技术优势。据业内人士透露，三星电子将在128层单唇存储器上叠加96层，推出224层NAND闪存。与176层相比，224层NAND闪存的工作效率和数据传输速度提高了30%。另外，微信和SK Hynix也在加速200层以上NAND闪存的开发。

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